STD120N4F6分立半导体产品 晶体管-太航半导体

技术参数

品牌：ST/意法半导体

型号：STD120N4F6

封装：117

数量：6456

类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商：STMicroelectronics

系列：Automotive, AEC-Q101. DeepGATE™, STripFET™ VI

FET 类型：N 通道

漏源电压(Vdss)：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On)：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)：4 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)：4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)：65 nC @ 10 V

Vgs(最大值)：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)：3850 pF @ 25 V

功率耗散(最大值)：110W(Tc)

工作温度：-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3.DPak(2 引线 + 接片)，SC-63

STD120N4F6

展开全文

这些器件是使用第六代STripFET开发的N沟道功率MOSFET™深度闸门™ 新的闸门结构。由此产生的功率MOSFET显示出所有封装中最低的RDS（开）。

包装机械数据为了满足环境要求，ST提供不同等级的这些设备ECOPACK®包装，取决于其环境合规性水平。

相关型号：SAK-XC2060N-40F80LR AB、SAK-XC2331D-20F66LR、TLE4250-2G、TLE4253E、TLE4254EJS、TLE4296-2GV50、TLE6250G、TLE7250G、TLE7250GVIO、TLE9250VLE、TLS820F1ELV50、MC33SB0400ESR2、MC33SB0401ESR2、MCZ33903DP5EK/R2、MMA6900KQR2、S9KEAZN8AMTGR、S9S08SC4E0CTGR、S9S08SG8E2MTJR、S9S12G128AMLHR、SC900781AAER2、FS32K142HFT0VLHR、SPC5602BK0MLL6R、SPC5742PK1AMLQ8R、SPC5743PK1AMLQ5R、TJA1042T、TJA1043T、TJA1044T、TJA1051T/1